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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > DTA143EKAT246

DTA143EKAT246

LAPIS Semiconductor

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Número de pieza DTA143EKAT246
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 7008 pcs
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Número de pieza DTA143EKAT246
Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 7008 pcs
Ficha de datos DTA143E Series
Foto del Producto DTA143EKAT246.jpg
Categoría Productos semiconductores discretos
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo SMT3
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potencia - Max 200mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
Número de pieza base DTA143
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