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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > PDTB123TS,126

PDTB123TS,126

NXP Semiconductors / Freescale

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Número de pieza PDTB123TS,126
Fabricante NXP Semiconductors / Freescale
Descripción TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 8178 pcs
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Número de pieza PDTB123TS,126
Fabricante NXP Semiconductors / Freescale
Descripción TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 8178 pcs
Ficha de datos PDTB123T Series
Foto del Producto PDTB123TS,126-001.jpg , PDTB123TS,126-002.jpg
Categoría Productos semiconductores discretos
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo TO-92-3
Serie -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potencia - Max 500mW
embalaje Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres 934059727126
PDTB123TS AMO
PDTB123TS AMO-ND
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 500mA
Número de pieza base PDTB123
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