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RN2969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Número de pieza RN2969FE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
In Stock 8404 pcs
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Número de pieza RN2969FE(TE85L,F)
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 8404 pcs
Ficha de datos RN2967FE-69FE
Foto del Producto RN2969FE(TE85L,F).jpg
Categoría Productos semiconductores discretos
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo ES6
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 22 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potencia - Max 100mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres RN2969FE(TE85LF)TR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 200MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
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